Un equipo de científicos anunció que desarrollaron una memoria más veloz y que consume menos energía que la memoria "flash", usada habitualmente.

Científicos de IBM, Macronix y Qimonda indicaron que desarrollaron un material que hace esta memoria "phase-change" (PCM) entre 500 a 1.000 veces más veloz que la memoria "flash", y con la mitad de la energía.

"Se pueden hacer muchas cosas con esta memoria phase-change que no se pueden hacer con la memoria flash", dijo el científico de IBM Spike Narayan a la AFP, presagiando reproductores MP3, cámaras digitales y otros artefactos más sofisticados.

Los detalles técnicos del hallazgo serán presentados a los ingenieros reunidos en la reunión internacional de aparatos electrónicos 2006, que se desarrolla en San Francisco.