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Intel ya utiliza 45 nanómetros para producir chips
6 de febrero de 2007
En uno de los adelantos más importantes en el diseño fundamental de transistores, Intel Corporation reveló que utiliza dos materiales dramáticamente nuevos para construir las paredes aislantes y las compuertas de switcheo de sus transistores de 45 nanómetros (nm).

Cientos de millones de estos transistores (o switches) microscópicos estarán contenidos en las familias de procesadores multi-core Intel® Core™ 2 Duo, Intel® Core™ 2 Quad e Intel® Xeon® de siguiente generación.

La compañía dijo también que tiene cinco productos en su versión inicial en operación (los primeros de 15 procesadores de 45 nm planeados por Intel).

La proeza del transistor permite a la compañía continuar produciendo velocidades récord de procesadores para PC’s, laptops y servidores, al tiempo de reducir la cantidad de fuga de electricidad de los transistores que puede entorpecer el diseño, tamaño, consumo de energía, ruido y costos de los chips y las PC’s.

También asegura que la Ley de Moore, axioma de la industria de la alta tecnología que señala que el número de transistores se duplica más o menos cada dos años, se siga cumpliendo fielmente en la próxima década.

Intel cree que ha extendido su liderazgo de más de un año sobre el resto de la industria de los semiconductores con los primeros procesadores de 45 nm funcionales de su familia de productos de 45 nm de siguiente generación (con nombre código “Penryn”).

Las versiones iniciales, que estarán destinadas a cinco segmentos diferentes del mercado de las computadoras, funcionan con los sistemas operativos Windows* Vista*, Mac OS X*, Windows* XP y Linux, además de diversas aplicaciones. La compañía se mantiene dentro de su plan de iniciar la producción de transistores de 45 nm en la segunda mitad de este año.